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首頁>>深圳市新瑪科技有限公司>>產(chǎn)品展示>>半導(dǎo)體C-V特性分析儀

  • IOL間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)HK-IOL-16H 參考價(jià):面議

    測(cè)試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode(小電流器件)進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用芯片的反復(fù)開啟和關(guān)閉引起的反復(fù)高溫...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    IOL間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)試驗(yàn)系統(tǒng)HK-IOL-16H碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀IOL間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)
    2024/1/29 15:42:292058
  • IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng)華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    SIC碳化硅器件測(cè)試儀HUSTEC-3000HUSTEC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
    2024/1/29 15:40:262290
  • SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000 參考價(jià):面議

    SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù):  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    SIC碳化硅器件測(cè)試儀HUSTEC-3000HUSTEC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
    2024/1/29 15:38:241473
  • HUSTEC-DC-2020分立器件測(cè)試儀 參考價(jià):面議

    HUSTEC-DC-2020分立器件測(cè)試儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    分立器件測(cè)試儀DC-2020HUSTECHUSTEC-DC-2020器件測(cè)試儀
    2024/1/29 15:36:391362
  • MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300 參考價(jià):面議

    MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300ITC57300是美國ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備,采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    ITC57300MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)測(cè)試儀
    2024/1/29 15:34:171844
  • 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT 參考價(jià):面議

    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀,可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    IGBTIGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀1200A-MT
    2024/1/29 15:32:111429
  • IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224 參考價(jià):面議

    IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過特制測(cè)試夾具的連接,實(shí)...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT測(cè)試儀
    2024/1/29 15:30:351684
  • IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT 參考價(jià):面議

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT華科智源功率器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT測(cè)試儀
    2024/1/29 15:28:461512
  • 博達(dá)微FS-Pro半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    博達(dá)微FS-Pro半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款功能全面、配置靈活的半導(dǎo)體器件電學(xué)特性分析設(shè)備,在一個(gè)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了電流電壓 (IV) 測(cè)試、電容電壓 (CV) 測(cè)試、...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)FS-Pro博達(dá)微FS-Pro博達(dá)微
    2024/1/29 8:03:211394
  • 吉時(shí)利全自動(dòng)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 參考價(jià):面議

    吉時(shí)利全自動(dòng)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4200A-SCS參數(shù)分析儀加快各類材料、半導(dǎo)體器件和*工藝的開發(fā),完成制程控制、可靠性分析和故障分析。4200A-SCS是業(yè)內(nèi)性能...
    型號(hào): 4200A-SCS 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    4200A-SCS半導(dǎo)體測(cè)試儀系統(tǒng)吉時(shí)利參數(shù)分析儀源全自動(dòng)半導(dǎo)體參數(shù)
    2024/1/28 17:27:291364
  • 力鈦科(Letak)半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    LET-2000D力鈦科(Letak)半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)是滿足IEC60747-8/9、JESD24標(biāo)準(zhǔn),旨在幫助工程師解決器件驗(yàn)證、器件參數(shù)評(píng)估、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、...
    型號(hào): LET-2000D 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    LET-2000D力鈦科(Letak)半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)雙脈沖測(cè)試法IGBT測(cè)試系統(tǒng)
    2024/1/28 17:25:501735
  • 同惠TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀 參考價(jià):面議

    同惠TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是同惠電子針對(duì)半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)與研發(fā)的分析儀器。TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:深圳市 對(duì)比
    TH511同惠TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀
    2024/1/28 17:08:401425

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